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手機(jī)充電器有望不再標(biāo)配:年廢棄過(guò)億污染大
買(mǎi)手機(jī)送充電器，這早已成為通信行業(yè)約定俗成的規(guī)矩。可每當(dāng)換新手機(jī)時(shí)，舊的手機(jī)充電器也就隨之廢棄，不僅浪費(fèi)資源而且處理不當(dāng)還會(huì)變成電子垃圾污染環(huán)境。今年初，工信部明確了手機(jī)充電器三段式接口標(biāo)準(zhǔn)。昨日，工信部泰爾實(shí)驗(yàn)室主任何桂立透露，這一標(biāo)準(zhǔn)未來(lái)有望被寫(xiě)入手機(jī)入網(wǎng)許可的相關(guān)政策，...
2010-05-12
手機(jī)充電器 標(biāo)配 年廢棄
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LED背照燈液晶電視已成大趨勢(shì) 下一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)是什么
日本Techno System Research的林秀介在舉行的“第7屆TSR研討會(huì)2010”上，介紹了高速增長(zhǎng)的LED背照燈液晶電視的下一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。本文將介紹LED背照燈液晶面板技術(shù)。
2010-05-12
LED 液晶電視
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無(wú)線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡(jiǎn)稱(chēng)“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無(wú)線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡(jiǎn)稱(chēng)“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無(wú)線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡(jiǎn)稱(chēng)“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無(wú)管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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