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安森美晶閘管浪涌保護器件
本文主要介紹了一種晶閘管浪涌保護器件（TSPD），首先分析得出一個簡單的晶閘管的保護特性是很不對稱的，為具備對稱的過壓保護，提出必須使用兩個反平行的晶閘管來實現(xiàn)，即晶閘管浪涌保護器件（TSPD），接著分析了它的電流-電壓曲線特性，最后舉例說明TSPD有雙向和單向之分。
2008-10-24
晶閘管浪涌保護器件 對稱過壓保護 安森美
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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計算，得出散熱方式的設(shè)計和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計 功率器件 散熱計算
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軟性印刷電路板將走向良性發(fā)展
軟性印刷電路板 (FPC)產(chǎn)業(yè)2005、2006年大幅擴產(chǎn)，導(dǎo)致削價競爭嚴(yán)重，經(jīng)過近兩年的調(diào)整加上受上半年整體景氣衰退影響，中國大陸不少小型軟板廠陸續(xù)倒閉，歐美及日系廠商降低軟板比重，整體產(chǎn)業(yè)供給進入穩(wěn)定狀況。
2008-10-23
軟性印刷電路板 FPC
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PPTC保護器件及其應(yīng)用
本文主要介紹PPTC保護器件，首先介紹了它的基本原理，然后著重介紹了它在無線電子產(chǎn)品、電池組、充電器、電源轉(zhuǎn)換器及變壓器中的應(yīng)用。
2008-10-23
PPTC保護器件 應(yīng)用
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接地電阻測試儀簡介
本文介紹了接地電阻測試儀，接地電阻測試與發(fā)展。
2008-10-23
接地電阻 測試儀 鉗式 測試工具
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在便攜應(yīng)用中采用TVS二極管進行ESD保護
本文介紹了手機中的ESD保護部分，ESD在設(shè)計中的選擇，TVS二極管的優(yōu)勢、工作原理和基本參數(shù)選擇，TVS二極管在超高速數(shù)據(jù)線路保護中的應(yīng)用，PCB設(shè)計時的考慮。
2008-10-23
ESD TVS二極管 PCB設(shè)計
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江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日，引進世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)
本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。
2008-10-23
ESD測試工具 TLP
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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