【導讀】近日，三星電子宣布在存儲技術領域實現(xiàn)重大突破，其研發(fā)團隊成功開發(fā)出一種新型NAND閃存結構，可將功耗降低超過90%。這一成果有望徹底改變人工智能數(shù)據(jù)中心、移動設備及其他依賴存儲芯片的終端產品的未來發(fā)展路徑。
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技術突破：鐵電材料與氧化物半導體的創(chuàng)新融合
據(jù)悉，該項突破性研究由三星先進技術研究院（SAIT）主導，通過將鐵電材料與氧化物半導體創(chuàng)新性結合，解決了長期困擾NAND閃存發(fā)展的能耗難題。相關研究成果已發(fā)表于國際頂級學術期刊《自然》，彰顯了其技術的前沿性與科學性。
NAND閃存作為一種非易失性存儲介質，能夠在斷電情況下長期保存大量數(shù)據(jù)，其工作原理是通過向存儲單元注入電子來實現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入。隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長，業(yè)界普遍采用堆疊更多存儲層的方式來提升存儲密度，但這也不可避免地導致數(shù)據(jù)讀寫過程中的能耗急劇上升。尤其是在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心場景下，存儲芯片的功耗問題已成為制約行業(yè)發(fā)展的關鍵瓶頸。
變“劣勢”為優(yōu)勢：協(xié)同設計攻克技術難關
三星研究團隊此次突破的核心在于成功攻克了氧化物半導體閾值電壓不穩(wěn)定的技術難題。過去，這一特性被視為技術障礙，但研究團隊通過將其與鐵電結構進行協(xié)同設計，巧妙地將這一“劣勢”轉化為優(yōu)勢。鐵電材料具備自維持電極化特性，無需持續(xù)供電即可保持狀態(tài)，這一特性與氧化物半導體的結合，使得新架構實現(xiàn)了驚人的96%功耗降幅。
這項技術突破完全依托三星內部自主研發(fā)能力，由三星電子SAIT與半導體研究所的34名研究人員共同完成，展現(xiàn)了三星在存儲技術領域的深厚積累和創(chuàng)新實力。
推動AI生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，加速商業(yè)化進程
“我們已驗證了實現(xiàn)超低功耗NAND閃存的可行性?！比请娮覵AIT研究員、本研究第一作者Yoo Si-jeong表示，“在AI生態(tài)系統(tǒng)中，存儲器的角色日益關鍵。未來我們將持續(xù)推進后續(xù)研究，目標是實現(xiàn)該技術的商業(yè)化落地?！?/p>
這一技術突破正值三星全力提升其存儲業(yè)務盈利能力的關鍵時期。隨著DDR5、LPDDR5X及GDDR7等DRAM產品需求持續(xù)攀升及價格上漲，三星正重點優(yōu)化高附加值產品的供應策略，以強化盈利結構。新型超低功耗NAND閃存技術的出現(xiàn)，不僅為三星在激烈的市場競爭中增添了重要籌碼，也為整個存儲行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展指明了方向。
重塑產業(yè)未來，開啟存儲新紀元
三星此次NAND閃存技術的突破性進展，預示著存儲芯片行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。在人工智能、云計算、物聯(lián)網等技術快速發(fā)展的背景下，低功耗、高性能的存儲解決方案將成為推動數(shù)字經濟發(fā)展的關鍵要素。隨著這項技術的不斷完善和商業(yè)化推進，我們有望在不久的見證更高效、更環(huán)保的數(shù)據(jù)中心和移動設備的誕生，真正開啟智能存儲的新紀元。
