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高頻MOS驅(qū)動電路仿真波形實驗波
開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能指標。
2012-02-22
高頻 MOSt 驅(qū)動電路 仿真波形
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實用...
2012-02-22
TSV 3D IC 半導體
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PCB背板設計及檢測要點
背板一直是PCB制造業(yè)中具有專業(yè)化性質(zhì)的產(chǎn)品。其設計參數(shù)與其它大多數(shù)電路板有很大不同，生產(chǎn)中需要滿足一些苛刻的要求，噪聲容限和信號完整性方面也要求背板設計遵從特有的設計規(guī)則。背板的這些特點導致其在設備規(guī)范和設備加工等制造要求上存在巨大差異。
2012-02-21
PCB 背板
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常見軟起動器的優(yōu)缺點及應用比較
由于旁路運行軟起動器的替代性，使得軟起動器在工程應用中得到了普及。本文比較三種軟起動器：在線型、旁路型、內(nèi)置旁路型的優(yōu)缺點及應用，發(fā)現(xiàn)在線型軟起動器應該被旁路型軟起動器所淘汰，而旁路型軟起動器又應該被內(nèi)置旁路型軟起動器所淘汰。
2012-02-21
軟起動器 晶閘管在線運行軟起動器 旁路型軟起動器 內(nèi)置旁路型軟起動器
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高壓變頻器的散熱與通風設計
高壓變頻器在正常工作時，熱量來源主要是隔離變壓器、電抗器、功率單元、控制系統(tǒng)等，其中作為主電路電子開關(guān)的功率器件的散熱、功率單元的散熱設計、及功率柜的散熱與通風設計最為重要。
2012-02-21
高壓變頻器 散熱 通風
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機驅(qū)動模塊
橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體，擴大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級的微型電機驅(qū)動模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機驅(qū)動模塊
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路設計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降...
2012-02-21
EXB841 IGBT驅(qū)動 保護電路
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國產(chǎn)逆變器發(fā)展雖快 國際競爭力仍不足
雖然中國光伏產(chǎn)業(yè)進入低谷，但是，相對于電池組件及多晶硅產(chǎn)業(yè)而言，光伏并網(wǎng)逆變器仍然被看好，近日印發(fā)的《關(guān)于做好2012年金太陽示范工作的通知》也給逆變器等關(guān)鍵設備帶來利好。據(jù)IHS iSuppli公司中國研究部門的專題報告顯示，中國光伏逆變器市場四年內(nèi)將增長近三倍。中國逆變器出貨量到2015年將...
2012-02-21
逆變器 光伏
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ZXLD1371：Diodes推出有助于延長LED壽命的LED驅(qū)動器控制器
Diodes公司推出ZXLD1371 LED驅(qū)動器控制器，通過把輸入工作電壓范圍擴展到從60V一直到最低的5.0V，使其應用范圍更為寬廣，包括輸入電壓變異最大的汽車照明以及12V交流供電的系統(tǒng)。該控制器靈活多用，通過驅(qū)動外接的場效應晶體管 (FET)，可構(gòu)成降壓、升壓及升降壓的驅(qū)動器電路。在升壓模式下，它可以...
2012-02-21
ZXLD1371 Diodes LED驅(qū)動器控制器
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