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分析半導(dǎo)體上半年高增長的原因
今年1H(上半年)全球半導(dǎo)體業(yè)有超乎人們預(yù)期的高增長，由09年1H的961億美元，增加到20101H的1447億美元，分析原因如下……
2010-08-31
半導(dǎo)體 增長 市場
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無需電池的供電模塊用于斷電時(shí)重要數(shù)據(jù)的備份
賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出一個(gè)無需電池的智能供電子系統(tǒng)，用于電力中斷時(shí)防止重要數(shù)據(jù)丟失。PowerGEM（綠色能源模塊）供電子系統(tǒng)采用超大電容，在系統(tǒng)供電中斷時(shí)提供臨時(shí)能量。
2010-08-31
AgigA 電池 PowerGEM 電容
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原料供貨不足 三大電容組件物以稀為貴
就像今年絕大部分的電子零組件市場一般，由于消費(fèi)電子需求擴(kuò)張，電容器（Capacitor）制造商也正經(jīng)歷產(chǎn)品需求大幅增加的階段。但是電容器市場景氣，仍會受到出貨時(shí)間拉長、價(jià)格上揚(yáng)和零組件供貨不足等因素的影響而有所波動。
2010-08-30
電容 元器件 手機(jī)芯片
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電子式互感器發(fā)展趨勢
電子式互感器的出現(xiàn)，被譽(yù)為本世紀(jì)初高壓電器制造業(yè)的一場革命。其數(shù)字化輸出、網(wǎng)絡(luò)化接線使得電網(wǎng)更安全、更環(huán)保、更利于一次設(shè)備乃至整個(gè)輸配電系統(tǒng)的智能化。所以目前電子式互感器研發(fā)和應(yīng)用中面臨的主要問題是：電磁干擾防護(hù)、通信差錯控制、可靠電源方式以及適應(yīng)戶外環(huán)境，如果措施不當(dāng)，易引...
2010-08-30
互感器 無源傳感 變壓器
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瑞薩電子推出3款高性能功率MOSFET
高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用，性能較以前...
2010-08-30
MOSFET 功率半導(dǎo)體 轉(zhuǎn)換器
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iSuppli：2011年移動設(shè)備市場將增長7%
研究機(jī)構(gòu)iSuppli日前表示，得益于對新4G網(wǎng)絡(luò)的投資，移動設(shè)備市場在接連兩年萎縮后將在2011年增長7%，達(dá)到403億美元。
2010-08-30
4G 無線通信 iSuppli
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RS Components 最新推出設(shè)計(jì)資源平臺,創(chuàng)建與工程師溝通的順暢通道
世界領(lǐng)先的電子、機(jī)電以及電子工業(yè)產(chǎn)品分銷商 RS Components 近日宣布推出 DesignSpark，專注于為工程師打造一個(gè)可靠的網(wǎng)上設(shè)計(jì)環(huán)境。DesignSpark 將呈現(xiàn)由 RS 開發(fā)的首個(gè)免費(fèi)設(shè)計(jì)工具 DesignSpark PCB，是一款用于 PCB 繪圖以及版面設(shè)計(jì)的工具，擁有獨(dú)特的功能和特性。
2010-08-27
RS DesignSpark PCB 電路設(shè)計(jì)
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2010年上半年中國集成電路產(chǎn)業(yè)運(yùn)行概況
2010年上半年中國集成電路產(chǎn)量為302.5億塊，同比大幅增長了49.4%，行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入666.03億元。與2009年上半年458.99億元銷售額相比。增長了45.1%。上半年的高增長主要得益于國內(nèi)外市場的快速增長，以及去年上半年行業(yè)低谷的低基數(shù)效應(yīng)。
2010-08-27
集成電路 半導(dǎo)體 芯片制造
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IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) ，今天宣布推出汽車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關(guān)應(yīng)用。
2010-08-27
IR 功率 MOSFET EMI
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