-
國產(chǎn)鋰鐵電池面世
近日,廣州耐時電池科技有限公司發(fā)布了國內(nèi)第一款完全自主研發(fā)制造的一次性高能鋰鐵電池
2009-07-31
國產(chǎn)鋰鐵電池 鋰鐵電池 電池
-
國產(chǎn)鋰鐵電池面世
近日,廣州耐時電池科技有限公司發(fā)布了國內(nèi)第一款完全自主研發(fā)制造的一次性高能鋰鐵電池
2009-07-31
國產(chǎn)鋰鐵電池 鋰鐵電池 電池
-
日本白光(Hakko)高效能調(diào)溫式電焊臺FM-202
革命性新設計溫度處理閘能自動進行溫度校正,只需把焊咀插入處理閘內(nèi) ,焊咀便自動回復準確之預設溫度。強大回熱功能。
2009-07-31
Mueller 電焊臺 調(diào)溫式電焊臺 FM-202 日本白光
-
日本白光(Hakko)高效能調(diào)溫式電焊臺FM-202
革命性新設計溫度處理閘能自動進行溫度校正,只需把焊咀插入處理閘內(nèi) ,焊咀便自動回復準確之預設溫度。強大回熱功能。
2009-07-31
Mueller 電焊臺 調(diào)溫式電焊臺 FM-202 日本白光
-
日本白光(Hakko)高效能調(diào)溫式電焊臺FM-202
革命性新設計溫度處理閘能自動進行溫度校正,只需把焊咀插入處理閘內(nèi) ,焊咀便自動回復準確之預設溫度。強大回熱功能。
2009-07-31
Mueller 電焊臺 調(diào)溫式電焊臺 FM-202 日本白光
-
SiR494DP:Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前,Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
-
SiR494DP:Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前,Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
-
SiR494DP:Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前,Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
-
德豪潤達擬拓展LED顯示屏領(lǐng)域
7月27日,德豪潤達(002005)召開的第三屆董事會第十四次會議審議通過了《關(guān)于對控股子公司提供財務資助的議案》,公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬人民幣的財務資助
2009-07-31
LED 顯示屏
- 機構(gòu)預警:DRAM價格壓力恐持續(xù)至2027年,存儲原廠加速擴產(chǎn)供應HBM
- IDC發(fā)出預警:存儲芯片暴漲,明年DIY電腦成本恐大幅攀升
- 2025年全球智能手表市場觸底反彈,出貨量將增長7%
- 從集成到獨立!三星首款2nm芯片Exynos 2600將不集成5G基帶
- AI熱潮的連鎖反應:三星、SK海力士上調(diào)HBM3E合約價
- 全鏈路優(yōu)化·多維度升級——VBA新版本助力CAN/CAN FD開發(fā)工作提質(zhì)增效
- 揭秘“一鍵控制”背后:遙控開關(guān)電路設計與編碼協(xié)議詳解
- 高壓·精準:復合材料超聲/導波檢測中放大器的核心定位與技術(shù)邏輯
- ESIS 2026第五屆中國電子半導體數(shù)智峰會強勢來襲!報名通道已開啟~
- 100/1000BASE-T1驗證新路徑!泰克-安立協(xié)同方案加速車載網(wǎng)絡智能化升級
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall






