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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強度和低功耗的特點。
2008-05-09
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時可為工業(yè)、電信及消費電子提供較高的重復性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
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Vishay榮獲EE Times評選的模擬集成電路類年度最佳產(chǎn)品獎
日前，Vishay宣布，該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅動器榮獲2008年EE Times評選的年度電子產(chǎn)品創(chuàng)新 (ACE) 獎項中的模擬集成電路類最佳產(chǎn)品獎。ACE 獎褒獎電子工程業(yè)最具創(chuàng)新的公司及突破性技術。
2008-05-06
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TSFF5510：Vishay寬視角新型高功率高速紅外發(fā)射器
Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨特設計的鏡頭，TSFF5510具有 ±38o 視角，與標準的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。
2008-04-30
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8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器
日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩(wěn)定的反向恢復時間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應用中的開關損失。
2008-04-25
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Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對便攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導通電阻。
2008-04-09
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評為年度最佳產(chǎn)品
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎”。
2008-03-31
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導通電阻規(guī)格及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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GA..系列：Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前，Vishay宣布推出采用業(yè)界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術，可在標準及超快速度下實現(xiàn)高開關工作頻率。
2008-03-14
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